2N4912X
BJT
NPN
ISO66
Parametros Principales
Vce Max.
80.000 V
Vcb Max.
80.000 V
Ic Max.
4.000 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
25.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | ISO66 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 3 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 4 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 80 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 80 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 25 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N4912X:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N4912X?
Los reemplazos compatibles para el 2N4912X incluyen: 2N4908, 2N4909, 2N4910, 2N4910SM, 2N4911, 2N4911SM, 2N4912, 2N4912SM, 2N4913, 2N4914, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N4912X?
El 2N4912X es un transistor BJT NPN en encapsulado ISO66.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N4912X?
El 2N4912X tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 80.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 4.000 A.