2N4956
BJT
NPN
R137
Parametros Principales
Vce Max.
25.000 V
Vcb Max.
30.000 V
Ic Max.
0.030 A
hFE Min
150.000
Potencia Max.
0.450 W
Tj Max.
125.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | R137 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 60 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 6 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.03 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 30 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 25 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 125 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.45 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 150 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N4956:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N4956?
Los reemplazos compatibles para el 2N4956 incluyen: 2N4950, 2N4951, 2N495-18, 2N4952, 2N4953, 2N4954, 2N4955, 2N4955-78, 2N4956-78, 2N4957, y 8 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N4956?
El 2N4956 es un transistor BJT NPN en encapsulado R137.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N4956?
El 2N4956 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 25.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.030 A.
