2N4966

BJT NPN TO106

Parametros Principales

Vce Max. 40.000 V
Vcb Max. 50.000 V
Ic Max. 0.030 A
hFE Min 45.000
Potencia Max. 0.200 W
Tj Max. 125.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO106
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 40 MHz
Collector Capacitance (Cc) 9 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.03 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 6 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 50 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 40 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 125 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.2 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 45

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N4966:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N4966?

Los reemplazos compatibles para el 2N4966 incluyen: 2SB817, 2N496, 2N4960, 2N4961, 2N496-18, 2N4962, 2N4963, 2N4964, 2N4965, 2N4967, y 9 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N4966?

El 2N4966 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO106.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N4966?

El 2N4966 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 40.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.030 A.

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