2N50
MOSFET
N-Channel
TO-252 TO-220F
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
2.000 A
RDSon
3.9000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-252 TO-220F |
| tr - Rise Time | 20 nS |
| Qg - Total Gate Charge | 20 nC |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 40 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| |VGSth| - Maximum Gate-Threshold Voltage | 4 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 3.9 Ohm |
Preguntas Frecuentes
¿Que tipo de transistor es el 2N50?
El 2N50 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-252 TO-220F.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N50?
El 2N50 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.000 A.