2N5001SM
BJT
PNP
TO252
Parametros Principales
Vce Max.
80.000 V
Vcb Max.
100.000 V
Ic Max.
2.000 A
hFE Min
70.000
Potencia Max.
30.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 560 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 2 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 100 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 80 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 30 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 70 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5001SM:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5001SM?
Los reemplazos compatibles para el 2N5001SM incluyen: 2SD2012, 2N4999, 2N499A, 2N50, 2N500, 2N5000, 2N5000SM, 2N5001, 2N5001S, 2N5002, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5001SM?
El 2N5001SM es un transistor BJT PNP en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5001SM?
El 2N5001SM tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 80.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 2.000 A.