2N5001SMD
BJT
PNP
TO-276AB
Parametros Principales
Vce Max.
80.000 V
Ic Max.
2.000 A
hFE Min
70.000
Potencia Max.
30.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-276AB |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 60 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 2 A |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 80 V |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 30 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 70 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5001SMD:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5001SMD?
Los reemplazos compatibles para el 2N5001SMD incluyen: 2N50, 2N500, 2N5000, 2N5000SM, 2N5001, 2N5001S, 2N5001SM, 2N4919G, 2N4920G, 2N4921G, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5001SMD?
El 2N5001SMD es un transistor BJT PNP en encapsulado TO-276AB.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5001SMD?
El 2N5001SMD tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 80.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 2.000 A.