2N5009
BJT
PNP
TO61
Parametros Principales
Vce Max.
80.000 V
Vcb Max.
100.000 V
Ic Max.
10.000 A
hFE Min
70.000
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO61 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 40 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 500 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 10 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 100 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 80 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 100 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 70 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5009:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5009?
Los reemplazos compatibles para el 2N5009 incluyen: 2N5002, 2N5002SM, 2N5003, 2N5004, 2N5005, 2N5006, 2N5007, 2N5008, 2N501, 2N5010, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5009?
El 2N5009 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO61.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5009?
El 2N5009 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 80.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 10.000 A.