2N501
BJT
PNP
TO1
Parametros Principales
Vce Max.
12.000 V
Vcb Max.
15.000 V
Ic Max.
0.050 A
hFE Min
70.000
Potencia Max.
0.060 W
Tj Max.
85.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO1 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 80 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 3 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.05 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 2 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 15 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 12 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 85 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.06 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 70 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N501:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N501?
Los reemplazos compatibles para el 2N501 incluyen: 2N5002SM, 2N5003, 2N5004, 2N5005, 2N5006, 2N5007, 2N5008, 2N5009, 2N5010, 2N5011, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N501?
El 2N501 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO1.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N501?
El 2N501 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 12.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.050 A.