2N501-18
BJT
PNP
TO18
Parametros Principales
Vce Max.
12.000 V
Vcb Max.
15.000 V
Ic Max.
0.200 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
0.060 W
Tj Max.
85.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO18 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 40 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 5 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.2 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 2 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 15 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 12 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 85 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.06 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N501-18:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N501-18?
Los reemplazos compatibles para el 2N501-18 incluyen: 2N3904, 2N5004, 2N5005, 2N5006, 2N5007, 2N5008, 2N5009, 2N501, 2N5010, 2N5011, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N501-18?
El 2N501-18 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO18.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N501-18?
El 2N501-18 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 12.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.200 A.