2N5010
BJT
NPN
TO5
Parametros Principales
Vcb Max.
500.000 V
Ic Max.
0.500 A
hFE Min
30.000
Potencia Max.
2.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO5 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 20 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 30 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 500 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 2 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 30 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5010:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5010?
Los reemplazos compatibles para el 2N5010 incluyen: 2N2222, 2N5003, 2N5004, 2N5005, 2N5006, 2N5007, 2N5008, 2N5009, 2N501, 2N5011, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5010?
El 2N5010 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO5.