2N5016
BJT
NPN
TO62
Parametros Principales
Vce Max.
30.000 V
Vcb Max.
65.000 V
Ic Max.
4.500 A
hFE Min
10.000
Potencia Max.
30.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO62 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 500 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 25 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 4.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 4 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 65 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 30 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 30 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 10 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5016:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5016?
Los reemplazos compatibles para el 2N5016 incluyen: 2N5010, 2N5011, 2N501-18, 2N5012, 2N5013, 2N5014, 2N5015, 2N5015S, 2N5017, 2N501A, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5016?
El 2N5016 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO62.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5016?
El 2N5016 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 30.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 4.500 A.