2N5020
MOSFET
P-Channel
TO-18
Parametros Principales
Vds Max.
50.000 V
Id Max.
0.001 A
Vgs Max.
1.500 V
Potencia Max.
0.500 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-18 |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.0012 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 200 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 1.5 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 50 V |
| |VGSoff| - Minimum Gate-to-Source Cutoff Voltage | 0.3 V |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5020:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5020?
Los reemplazos compatibles para el 2N5020 incluyen: 2N4860A, 2N4861A, 2N4867, 2N4868, 2N4869, 2N4867A, 2N4868A, 2N4869A, 2N5021, 2N5114, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5020?
El 2N5020 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO-18.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5020?
El 2N5020 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 50.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.001 A.