2N5035

BJT NPN TO218

Parametros Principales

Vce Max. 40.000 V
Vcb Max. 55.000 V
Ic Max. 6.000 A
hFE Min 20.000
Potencia Max. 83.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO218
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 0.8 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 6 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 55 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 40 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 83 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 20

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5035:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N5035?

Los reemplazos compatibles para el 2N5035 incluyen: 2N5029, 2N502A, 2N502B, 2N503, 2N5030, 2N5031, 2N5032, 2N5034, 2N5036, 2N5037, y 8 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N5035?

El 2N5035 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO218.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N5035?

El 2N5035 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 40.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 6.000 A.

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