2N5039-1

BJT NPN TO3

Parametros Principales

Vce Max. 75.000 V
Vcb Max. 120.000 V
Ic Max. 20.000 A
hFE Min 40.000
Potencia Max. 140.000 W
Tj Max. 200.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO3
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 60 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 20 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 7 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 120 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 75 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 200 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 140 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 40

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5039-1:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N5039-1?

Los reemplazos compatibles para el 2N5039-1 incluyen: 2N5032, 2N5034, 2N5035, 2N5036, 2N5037, 2N5038, 2N5038-1, 2N5039, 2N504, 2N5040, y 9 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N5039-1?

El 2N5039-1 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N5039-1?

El 2N5039-1 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 75.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 20.000 A.

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