2N5052SMD
BJT
NPN
TO-276AB
Parametros Principales
Vce Max.
200.000 V
Ic Max.
2.000 A
hFE Min
25.000
Potencia Max.
40.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-276AB |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 10 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 2 A |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 200 V |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 40 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 25 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5052SMD:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5052SMD?
Los reemplazos compatibles para el 2N5052SMD incluyen: 2N5048, 2N5049, 2N505, 2N5050, 2N5051, 2N5052, 2N5052SM, 2N5010S, 2N5011S, 2N5012S, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5052SMD?
El 2N5052SMD es un transistor BJT NPN en encapsulado TO-276AB.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5052SMD?
El 2N5052SMD tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 200.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 2.000 A.