2N506
BJT
PNP
TO22
Parametros Principales
Vcb Max.
40.000 V
Ic Max.
0.100 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
0.100 W
Tj Max.
80.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO22 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.2 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 8 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 40 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 80 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.1 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N506:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N506?
Los reemplazos compatibles para el 2N506 incluyen: 2SB817, 2N5054, 2N5055, 2N5056, 2N5057, 2N5058, 2N5058S, 2N5059, 2N5059S, 2N5065, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N506?
El 2N506 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO22.