2N5080

BJT NPN TO18

Parametros Principales

Vce Max. 30.000 V
Vcb Max. 60.000 V
Ic Max. 1.000 A
hFE Min 200.000
Potencia Max. 0.360 W
Tj Max. 200.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO18
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 500 MHz
Collector Capacitance (Cc) 7 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 1 A
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 60 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 30 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 200 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.36 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 200

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5080:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N5080?

Los reemplazos compatibles para el 2N5080 incluyen: 2N5072, 2N5073, 2N5074, 2N5075, 2N5076, 2N5077, 2N5079, 2N508, 2N5081, 2N5082, y 8 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N5080?

El 2N5080 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO18.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N5080?

El 2N5080 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 30.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.000 A.

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