2N5114E3
MOSFET
P-Channel
TO-18
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
0.090 A
RDSon
75.0000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
0.500 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-18 |
| tr - Rise Time | 10 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.09 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 200 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 75 Ohm |
| |VGSoff| - Minimum Gate-to-Source Cutoff Voltage | 5 V |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5114E3:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5114E3?
Los reemplazos compatibles para el 2N5114E3 incluyen: 2N4416AC1D, 2N4416ACSM, 2N4416CSM, 2N4416DCSM, 2N4445, 2N4446, 2N4447, 2N4448, 2N5114UB, 2N5114UBE3, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5114E3?
El 2N5114E3 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO-18.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5114E3?
El 2N5114E3 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.090 A.