2N5116UB
MOSFET
P-Channel
TO-18
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
0.030 A
RDSon
175.0000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
0.500 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-18 |
| tr - Rise Time | 35 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.03 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 200 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 175 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5116UB:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5116UB?
Los reemplazos compatibles para el 2N5116UB incluyen: 2N4448, 2N5114E3, 2N5114UB, 2N5114UBE3, 2N5115E3, 2N5115UB, 2N5115UBE3, 2N5116E3, 2N5116UBE3, 2N5163, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5116UB?
El 2N5116UB es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO-18.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5116UB?
El 2N5116UB tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.030 A.