2N5122

BJT PNP TO71-3

Parametros Principales

Vce Max. 45.000 V
Vcb Max. 45.000 V
Ic Max. 0.010 A
hFE Min 100.000
Potencia Max. 0.500 W
Tj Max. 200.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO71-3
Polarity PNP
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 100 MHz
Collector Capacitance (Cc) 0.8 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.01 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 7 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 45 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 45 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 200 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.5 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 100

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5122:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N5122?

Los reemplazos compatibles para el 2N5122 incluyen: 2N5117, 2N5118, 2N5119, 2N511A, 2N511B, 2N512, 2N5120, 2N5121, 2N5123, 2N5124, y 9 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N5122?

El 2N5122 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO71-3.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N5122?

El 2N5122 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 45.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.010 A.

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