2N513

BJT PNP TO3

Parametros Principales

Vce Max. 30.000 V
Vcb Max. 40.000 V
Ic Max. 25.000 A
hFE Min 20.000
Potencia Max. 150.000 W
Tj Max. 100.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO3
Polarity PNP
Material of Transistor Ge
Transition Frequency (ft) 0.15 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 25 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 30 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 40 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 30 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 100 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 150 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 20

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N513:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N513?

Los reemplazos compatibles para el 2N513 incluyen: 2N5124, 2N5125, 2N5126, 2N5127, 2N5128, 2N5129, 2N512A, 2N512B, 2N5130, 2N5131, y 8 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N513?

El 2N513 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO3.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N513?

El 2N513 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 30.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 25.000 A.

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