2N5130
BJT
NPN
TO106
Parametros Principales
Vce Max.
12.000 V
Vcb Max.
30.000 V
Ic Max.
0.050 A
hFE Min
12.000
Potencia Max.
0.200 W
Tj Max.
125.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO106 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 450 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 3 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.05 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 1 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 30 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 12 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 125 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.2 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 12 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5130:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5130?
Los reemplazos compatibles para el 2N5130 incluyen: 2N2222A, 2N5125, 2N5126, 2N5127, 2N5128, 2N5129, 2N512A, 2N512B, 2N513, 2N5131, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5130?
El 2N5130 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO106.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5130?
El 2N5130 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 12.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.050 A.