2N5132
BJT
NPN
TO106
Parametros Principales
Vce Max.
20.000 V
Vcb Max.
20.000 V
Ic Max.
0.030 A
hFE Min
30.000
Potencia Max.
0.200 W
Tj Max.
125.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO106 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 200 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 3.5 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.03 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 3 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 20 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 20 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 125 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.2 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 30 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5132:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5132?
Los reemplazos compatibles para el 2N5132 incluyen: 2N5127, 2N5128, 2N5129, 2N512A, 2N512B, 2N513, 2N5130, 2N5131, 2N5133, 2N5134, y 8 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5132?
El 2N5132 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO106.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5132?
El 2N5132 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 20.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.030 A.