2N5151SMD05

BJT PNP TO-276AA

Parametros Principales

Vce Max. 80.000 V
Vcb Max. 100.000 V
Ic Max. 5.000 A
hFE Min 30.000
Potencia Max. 1.000 W
Tj Max. 200.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO-276AA
Polarity PNP
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 60 MHz
Collector Capacitance (Cc) 250 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 5 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5.5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 100 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 80 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 200 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 1 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 30

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5151SMD05:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N5151SMD05?

Los reemplazos compatibles para el 2N5151SMD05 incluyen: 2N515, 2N5150, 2N5151, 2N5151A, 2N5151S, 2N5151L, 2N5015X, 2N5038G, 2N5052SMD, 2N5087G, y 14 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N5151SMD05?

El 2N5151SMD05 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO-276AA.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N5151SMD05?

El 2N5151SMD05 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 80.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 5.000 A.

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