2N5152SMD
BJT
NPN
TO-276AB
Parametros Principales
Vce Max.
80.000 V
Ic Max.
5.000 A
hFE Min
30.000
Potencia Max.
10.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-276AB |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 60 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 5 A |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 80 V |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 10 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 30 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5152SMD:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5152SMD?
Los reemplazos compatibles para el 2N5152SMD incluyen: 2SC828, 2N5152, 2N5152S, 2N5152SM, 2N5152L, 2N5087RLRAG, 2N5088G, 2N5089G, 2N5151-220M, 2N5151SMD05, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5152SMD?
El 2N5152SMD es un transistor BJT NPN en encapsulado TO-276AB.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5152SMD?
El 2N5152SMD tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 80.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 5.000 A.