2N5157T3

BJT NPN TO-257AA

Parametros Principales

Vce Max. 500.000 V
Vcb Max. 700.000 V
Ic Max. 3.500 A
hFE Min 30.000
Potencia Max. 125.000 W
Tj Max. 200.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO-257AA
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Collector Capacitance (Cc) 250 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 3.5 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 6 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 700 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 500 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 200 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 125 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 30

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5157T3:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N5157T3?

Los reemplazos compatibles para el 2N5157T3 incluyen: 2N5155, 2N5156, 2N5157, 2N5401, 2N5154T2A, 2N5154U3, 2N5154X, 2N5154X-220M, 2N5154XSMD, 2N5154XSMD05, y 12 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N5157T3?

El 2N5157T3 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO-257AA.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N5157T3?

El 2N5157T3 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 500.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.500 A.

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