2N5157T3
BJT
NPN
TO-257AA
Parametros Principales
Vce Max.
500.000 V
Vcb Max.
700.000 V
Ic Max.
3.500 A
hFE Min
30.000
Potencia Max.
125.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-257AA |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Collector Capacitance (Cc) | 250 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 3.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 700 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 500 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 125 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 30 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5157T3:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5157T3?
Los reemplazos compatibles para el 2N5157T3 incluyen: 2N5155, 2N5156, 2N5157, 2N5401, 2N5154T2A, 2N5154U3, 2N5154X, 2N5154X-220M, 2N5154XSMD, 2N5154XSMD05, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5157T3?
El 2N5157T3 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO-257AA.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5157T3?
El 2N5157T3 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 500.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.500 A.
