2N5163
MOSFET
N-Channel
TO-106
Parametros Principales
Vds Max.
25.000 V
Id Max.
0.040 A
RDSon
500.0000 Ω
Vgs Max.
25.000 V
Potencia Max.
0.200 W
Tj Max.
125.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-106 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.04 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 125 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 25 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 500 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5163:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5163?
Los reemplazos compatibles para el 2N5163 incluyen: 2N5114UB, 2N5114UBE3, 2N5115E3, 2N5115UB, 2N5115UBE3, 2N5116E3, 2N5116UB, 2N5116UBE3, 2N6849HP, 2N6849U, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5163?
El 2N5163 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-106.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5163?
El 2N5163 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 25.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.040 A.