2N5316
BJT
PNP
TO61
Parametros Principales
Vce Max.
80.000 V
Vcb Max.
80.000 V
Ic Max.
10.000 A
hFE Min
30.000
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO61 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 30 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 500 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 10 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 80 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 80 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 50 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 30 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5316:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5316?
Los reemplazos compatibles para el 2N5316 incluyen: 2N5309, 2N531, 2N5310, 2N5311, 2N5312, 2N5313, 2N5314, 2N5315, 2N5317, 2N5318, y 8 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5316?
El 2N5316 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO61.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5316?
El 2N5316 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 80.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 10.000 A.