2N5322W
BJT
PNP
TO39
Parametros Principales
Vce Max.
75.000 V
Vcb Max.
100.000 V
Ic Max.
2.000 A
hFE Min
165.000
Potencia Max.
10.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO39 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 50 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 40 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 2 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 7 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 100 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 75 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 10 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 165 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5322W:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5322W?
Los reemplazos compatibles para el 2N5322W incluyen: 2SC945, 2N5321Y, 2N5322, 2N5322BL, 2N5322BR, 2N5322GN, 2N5322O, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322Y, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5322W?
El 2N5322W es un transistor BJT PNP en encapsulado TO39.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5322W?
El 2N5322W tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 75.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 2.000 A.