2N537
BJT
PNP
TO29
Parametros Principales
Vcb Max.
30.000 V
Ic Max.
0.100 A
hFE Min
10.000
Potencia Max.
0.225 W
Tj Max.
85.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO29 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 1000 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 2.8 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 1 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 30 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 85 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.225 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 10 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N537:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N537?
Los reemplazos compatibles para el 2N537 incluyen: 2N3906, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N535A, 2N535B, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N537?
El 2N537 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO29.