2N5401B-Y1
BJT
PNP
TO92
Parametros Principales
Vce Max.
165.000 V
Vcb Max.
190.000 V
Ic Max.
0.600 A
hFE Min
100.000
Potencia Max.
0.625 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO92 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 50 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.6 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 190 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 165 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.625 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 100 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5401B-Y1:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5401B-Y1?
Los reemplazos compatibles para el 2N5401B-Y1 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5401B, 2N5401B-Y2, 2N5551A, y 4 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5401B-Y1?
El 2N5401B-Y1 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO92.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5401B-Y1?
El 2N5401B-Y1 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 165.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.600 A.