2N5401N

BJT PNP TO-92N

Parametros Principales

Vce Max. 160.000 V
Vcb Max. 160.000 V
Ic Max. 0.600 A
hFE Min 60.000
Potencia Max. 0.400 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO-92N
Polarity PNP
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 100 MHz
Collector Capacitance (Cc) 6 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.6 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 160 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 160 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.4 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 60

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5401N:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N5401N?

Los reemplazos compatibles para el 2N5401N incluyen: 2N3906, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5320X, 2N5338LCC4, y 16 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N5401N?

El 2N5401N es un transistor BJT PNP en encapsulado TO-92N.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N5401N?

El 2N5401N tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 160.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.600 A.

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