2N5401S

BJT PNP SOT23

Parametros Principales

Vce Max. 150.000 V
Vcb Max. 160.000 V
Ic Max. 0.600 A
hFE Min 60.000
Potencia Max. 0.350 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SOT23
Polarity PNP
SMD Transistor Code ZE
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 300 MHz
Collector Capacitance (Cc) 6 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.6 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 160 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 150 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.35 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 60

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5401S:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N5401S?

Los reemplazos compatibles para el 2N5401S incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N3906A, 2N3906C, 2N3906E, y 11 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N5401S?

El 2N5401S es un transistor BJT PNP en encapsulado SOT23.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N5401S?

El 2N5401S tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 150.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.600 A.

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