2N5401SAM
BJT
PNP
TO-92
Parametros Principales
Vce Max.
150.000 V
Ic Max.
0.600 A
hFE Min
50.000
Potencia Max.
0.625 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-92 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 100 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.6 A |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 150 V |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.625 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 50 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5401SAM:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5401SAM?
Los reemplazos compatibles para el 2N5401SAM incluyen: 2SC4793, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5401AI, 2SA200-O, y 1 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5401SAM?
El 2N5401SAM es un transistor BJT PNP en encapsulado TO-92.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5401SAM?
El 2N5401SAM tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 150.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.600 A.