2N5416U4
BJT
PNP
TO-5
Parametros Principales
Vce Max.
300.000 V
Vcb Max.
350.000 V
Ic Max.
1.000 A
hFE Min
30.000
Potencia Max.
15.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-5 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Collector Capacitance (Cc) | 15 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 3 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 350 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 300 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 15 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 30 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5416U4:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5416U4?
Los reemplazos compatibles para el 2N5416U4 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5401HR, 2N5401N, 2N5401RLRAG, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5416U4?
El 2N5416U4 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO-5.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5416U4?
El 2N5416U4 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 300.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.000 A.