2N5450

BJT NPN

Parametros Principales

Vce Max. 30.000 V
Vcb Max. 50.000 V
Ic Max. 0.800 A
hFE Min 50.000
Potencia Max. 0.360 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 100 MHz
Collector Capacitance (Cc) 12 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.8 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 50 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 30 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.36 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 50

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5450:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N5450?

Los reemplazos compatibles para el 2N5450 incluyen: 2N3904, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5440, 2N544-12, y 16 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N5450?

El 2N5450 es un transistor BJT NPN .

¿Cual es el voltaje maximo del 2N5450?

El 2N5450 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 30.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.800 A.

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