2N5470
BJT
NPN
TO251
Parametros Principales
Vcb Max.
50.000 V
Ic Max.
0.400 A
hFE Min
10.000
Potencia Max.
3.500 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 2000 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 3 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.4 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 3 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 50 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 3.5 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 10 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5470:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5470?
Los reemplazos compatibles para el 2N5470 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5455, 2N5456, 2N546, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5470?
El 2N5470 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO251.