2N5480
BJT
NPN
TO59
Parametros Principales
Vce Max.
100.000 V
Vcb Max.
100.000 V
Ic Max.
7.000 A
hFE Min
60.000
Potencia Max.
60.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO59 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 30 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 250 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 7 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 100 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 100 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 60 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 60 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5480:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5480?
Los reemplazos compatibles para el 2N5480 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5468, 2N5469, 2N547, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5480?
El 2N5480 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO59.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5480?
El 2N5480 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 100.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 7.000 A.