2N5551A-Y2
BJT
NPN
TO92
Parametros Principales
Vce Max.
160.000 V
Vcb Max.
180.000 V
Ic Max.
0.600 A
hFE Min
200.000
Potencia Max.
0.625 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO92 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 50 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.6 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 180 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 160 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.625 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 200 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5551A-Y2:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5551A-Y2?
Los reemplazos compatibles para el 2N5551A-Y2 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5401B, 2N5401B-Y1, 2N5401B-Y2, y 4 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5551A-Y2?
El 2N5551A-Y2 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO92.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5551A-Y2?
El 2N5551A-Y2 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 160.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.600 A.