2N5551CSM
BJT
NPN
LCC1
Parametros Principales
Vce Max.
160.000 V
Vcb Max.
180.000 V
Ic Max.
0.600 A
hFE Min
80.000
Potencia Max.
0.350 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | LCC1 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 100 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 6 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.6 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 180 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 160 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.35 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 80 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5551CSM:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5551CSM?
Los reemplazos compatibles para el 2N5551CSM incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5415UA, 2N5416S, 2N5416U4, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5551CSM?
El 2N5551CSM es un transistor BJT NPN en encapsulado LCC1.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5551CSM?
El 2N5551CSM tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 160.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.600 A.