2N5551DCSM
BJT
NPN
LCC2
Parametros Principales
Vce Max.
160.000 V
Ic Max.
0.600 A
hFE Min
80.000
Potencia Max.
0.350 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | LCC2 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 100 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.6 A |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 160 V |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.35 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 80 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5551DCSM:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5551DCSM?
Los reemplazos compatibles para el 2N5551DCSM incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5416S, 2N5416U4, 2N5416UA, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5551DCSM?
El 2N5551DCSM es un transistor BJT NPN en encapsulado LCC2.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5551DCSM?
El 2N5551DCSM tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 160.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.600 A.