2N5551S
BJT
NPN
SOT23
Parametros Principales
Vce Max.
160.000 V
Vcb Max.
180.000 V
Ic Max.
0.600 A
hFE Min
80.000
Potencia Max.
0.350 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT23 |
| Polarity | NPN |
| SMD Transistor Code | ZF |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 300 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 6 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.6 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 180 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 160 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.35 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 80 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5551S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5551S?
Los reemplazos compatibles para el 2N5551S incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N3906S, 2N3906U, 2N3906V, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5551S?
El 2N5551S es un transistor BJT NPN en encapsulado SOT23.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5551S?
El 2N5551S tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 160.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.600 A.