2N5552-1
BJT
NPN
TO31
Parametros Principales
Vce Max.
80.000 V
Vcb Max.
120.000 V
Ic Max.
10.000 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
15.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO31 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 30 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 250 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 10 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 7 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 120 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 80 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 15 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5552-1:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5552-1?
Los reemplazos compatibles para el 2N5552-1 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N554, 2N5540, 2N5541, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5552-1?
El 2N5552-1 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO31.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5552-1?
El 2N5552-1 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 80.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 10.000 A.