2N5559
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vce Max.
120.000 V
Vcb Max.
150.000 V
Ic Max.
10.000 A
hFE Min
12.000
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 0.8 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 600 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 10 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 7 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 150 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 120 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 100 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 12 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5559:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5559?
Los reemplazos compatibles para el 2N5559 incluyen: 2SB688, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5542, 2N555, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5559?
El 2N5559 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5559?
El 2N5559 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 120.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 10.000 A.