2N556

BJT NPN TO5

Parametros Principales

Vcb Max. 25.000 V
Ic Max. 0.200 A
hFE Min 35.000
Potencia Max. 0.100 W
Tj Max. 85.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO5
Polarity NPN
Material of Transistor Ge
Maximum Collector Current |Ic max| 0.2 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 15 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 25 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 85 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.1 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 35

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N556:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N556?

Los reemplazos compatibles para el 2N556 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N555, 2N5550, 2N5551, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N556?

El 2N556 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO5.

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