2N5583
BJT
NPN
TO39
Parametros Principales
Vce Max.
30.000 V
Vcb Max.
30.000 V
Ic Max.
0.500 A
Potencia Max.
1.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO39 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 1300 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 5 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 3 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 30 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 30 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 1 W |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5583:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5583?
Los reemplazos compatibles para el 2N5583 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5576, 2N5577, 2N5578, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5583?
El 2N5583 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO39.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5583?
El 2N5583 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 30.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.500 A.