2N5590
BJT
NPN
TO128
Parametros Principales
Vce Max.
18.000 V
Vcb Max.
36.000 V
Ic Max.
2.000 A
hFE Min
5.000
Potencia Max.
10.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO128 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 175 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 70 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 2 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 4 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 36 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 18 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 10 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 5 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5590:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5590?
Los reemplazos compatibles para el 2N5590 incluyen: 2SD2012, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5582, 2N5583, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5590?
El 2N5590 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO128.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5590?
El 2N5590 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 18.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 2.000 A.