2N5618

BJT NPN TO3

Parametros Principales

Vce Max. 80.000 V
Vcb Max. 100.000 V
Ic Max. 5.000 A
hFE Min 70.000
Potencia Max. 50.000 W
Tj Max. 200.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO3
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 60 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 5 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 6 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 100 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 80 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 200 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 50 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 70

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5618:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N5618?

Los reemplazos compatibles para el 2N5618 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5611A, 2N5612, 2N5612A, y 16 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N5618?

El 2N5618 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N5618?

El 2N5618 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 80.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 5.000 A.

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