2N5655G
BJT
NPN
TO-225
Parametros Principales
Vce Max.
250.000 V
Vcb Max.
275.000 V
Ic Max.
0.500 A
hFE Min
30.000
Potencia Max.
20.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-225 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 10 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 25 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 275 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 250 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 20 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 30 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5655G:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5655G?
Los reemplazos compatibles para el 2N5655G incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5551CN, 2N5551CSM, 2N5551DCSM, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5655G?
El 2N5655G es un transistor BJT NPN en encapsulado TO-225.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5655G?
El 2N5655G tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 250.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.500 A.