2N5665N1
BJT
NPN
TO-276AA
Parametros Principales
Vce Max.
300.000 V
Vcb Max.
400.000 V
Ic Max.
5.000 A
hFE Min
25.000
Potencia Max.
76.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-276AA |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 20 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 120 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 400 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 300 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 76 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 25 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5665N1:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5665N1?
Los reemplazos compatibles para el 2N5665N1 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5551N, 2N5551SC, 2N5655G, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5665N1?
El 2N5665N1 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO-276AA.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5665N1?
El 2N5665N1 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 300.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 5.000 A.